商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TOLL-9
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
C3M0120065L - 650V、120mΩ、21A 分立式碳化硅 MOSFET 晶體管,采用 TOLL 封裝
產(chǎn)品描述
C3M0120065L - Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET,擴(kuò)大了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),使更多電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了更小、更輕和更高效的功率轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。
主要特性
低導(dǎo)通電阻
低寄生電容
超低反向恢復(fù)的快速二極管
高溫工作(TJ = 175°C)
開爾文源引腳
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通孔和 SMT 封裝
外形小巧
低引線電感
低熱阻抗
應(yīng)用
工業(yè)電源
服務(wù)器/電信
電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: