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IQD005N04NM6SC：N-通道功率 MOSFET 晶體管 - 具有 0.47 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。

型號：IQD005N04NM6SC

封裝：PG-WHSON-8

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

IQD005N04NM6SC - 產(chǎn)品規(guī)格：

系列：OptiMOS? 6

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：57A (Ta), 597A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.49 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1.449mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：163 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12000 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），333W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHSON-8-U02

封裝/外殼：8-PowerWDFN

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