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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):NVMJD010N10MCL

商品名稱:MOSFET 晶體管

品牌:ON

年份:24+

封裝:LFPAK-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NVMJD010N10MCL
封裝
LFPAK-8
描述
100V,10mΩ,62A, 汽車功率 MOSFET 晶體管,LFPAK-8

產(chǎn)品描述

NVMJD010N10MCL(低/中壓 MOSFET 晶體管):100V,10mΩ,62A,2N-通道, 汽車功率 MOSFET 晶體管


型號(hào):NVMJD010N10MCL

封裝:LFPAK-8

類型:MOSFET 晶體管


概述:

NVMJD010N10MCL - 汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。


NVMJD010N10MCL - 產(chǎn)品規(guī)格:

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

配置:2 個(gè) N 溝道

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11.8A(Ta),62A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):10 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3V @ 97μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):26.4nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1795pF @ 50V

功率 - 最大值:3.1W(Ta),84W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56

供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK


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常見問題

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    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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ON

ON

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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