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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):IQDH35N03LM5SC

商品名稱:MOSFET 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-WHSON-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IQDH35N03LM5SC
封裝
PG-WHSON-8
描述
30V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8

產(chǎn)品描述

IQDH35N03LM5SC(N-通道功率 MOSFET 晶體管):OptiMOS? 功率 MOSFET 30V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。


概述:

IQDH35N03LM5SC - 功率 MOSFET 晶體管,具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。


IQDH35N03LM5SC 優(yōu)勢(shì):

傳導(dǎo)損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關(guān)

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

散熱性能提高

易于熱管理

最佳開關(guān)性能

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝


IQDH35N03LM5SC - 產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):66A(Ta),700A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.35 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 1.46mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):114 nC @ 4.5 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):18000 pF @ 15 V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),278W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-WHSON-8-U02

封裝/外殼:8-PowerWDFN


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