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IQDH35N03LM5CGSC（N-通道功率 MOSFET 晶體管）：OptiMOS? 功率 MOSFET 30V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。

概述：

IQDH35N03LM5CGSC - 功率 MOSFET 晶體管，具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

IQDH35N03LM5CGSC 優(yōu)勢：

傳導(dǎo)損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關(guān)

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on) 最低

散熱性能提高

易于熱管理

最佳開關(guān)性能

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

IQDH35N03LM5CGSC - 產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：66A（Ta），700A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.35 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.46mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：114 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：18000 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHSON-8-U02

封裝/外殼：8-PowerWDFN

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。