商品名稱：MOSFET 晶體管
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0120100J - 碳化硅功率 MOSFET C3M? MOSFET 晶體管
主要特性
- C3MTM 碳化硅 MOSFET 技術
- 獨立驅動源引腳，寄生電感低
- 漏極和源極之間的爬電距離為 7 毫米
- 阻塞電壓高，導通電阻低
- 本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低
- 輸出電容低（60pF）
- 無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范
應用
- 可再生能源
- 電動汽車電池充電器
- 高壓 DC/DC 轉換器
- 開關模式電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…
C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0350120J的規(guī)格：…電話咨詢：86-755-83294757
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