品牌:
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫存
購買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 150 V 低壓功率 MOSFET,采用 PQFN 3.3x3.3 源下中心柵封裝
封裝:PG-TTFN-9產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 150 V,采用 PQFN 3.3x3.3 降源封裝
封裝:PG-TSON-8產(chǎn)品說明:N溝道650 V,39 mOhm典型值,54 A MDmesh M9功率MOSFET,TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS? 8 功率晶體管
封裝:PG-HDSOP-10產(chǎn)品說明:600V CoolMOS? 8 功率 MOSFET 晶體管
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:采用 PQFN 5x6 封裝的下一代同類最佳 OptiMOS? 7 40 V 功率 MOSFET
封裝:PG?TDSON?8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET,采用超低 RDS(on) 的緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝
封裝:PG-TSON-12產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET,采用超低 RDS(on) 的緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝
封裝:PG-TSON-12產(chǎn)品說明:采用緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝的 OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET
封裝:PG-TSON-12產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET,采用超低 RDS(on) 的緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝
封裝:PG-TSON-12產(chǎn)品說明:StrongIRFET? 2 功率 MOSFET 30 V,采用 TO-220 封裝
封裝:PG?TO220?3產(chǎn)品說明:StrongIRFET? 2 功率 MOSFET 30 V,采用 TO-220 封裝
封裝:PG?TO220?3電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: