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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):IQFH36N04NM6

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PG-TSON-12

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IQFH36N04NM6
封裝
PG-TSON-12
描述
采用緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝的 OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET

產(chǎn)品描述

IQFH36N04NM6 OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET 采用緊湊型、高性能 PQFN 8x6 封裝,具有業(yè)內(nèi)基準(zhǔn) RDS(on) 值。


這款 40 V 正常電平功率 MOSFET 采用我們最新的創(chuàng)新型緊湊型夾式 PQFN 8x6 mm2 封裝,具有極高的電流和功率水平。該器件具有當(dāng)前業(yè)界最佳的 0.36 mΩ RDS(on),并具有出色的熱性能。


這為電池供電應(yīng)用、電池管理、低壓驅(qū)動(dòng)和 SMPS 等各種終端應(yīng)用帶來了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。


參數(shù): IQFH36N04NM6 

最大內(nèi)徑(25°C 時(shí)): 656 A 

最低和最高工作溫度: -55 °C 175 °C 

封裝: PQFN 8x6 

極性: N 

QG(典型值 @10V): 206 nC 

RDS(導(dǎo)通)(10V 時(shí))最大值: 0.36 mΩ 

VDS 最大值: 40 V 

VGS(th) 最小值 最大值: 2.3 V 1.8 V 2


特性描述

尖端 OptiMOS? 硅技術(shù)

高芯片/封裝比

超高電流,占用空間小

超低封裝寄生

優(yōu)化的引線框架和 Cu-Clip 設(shè)計(jì)

與 PQFN 5x6 基底面兼容

布局緊湊,減少并聯(lián)

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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IQE220N15NM5CG

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PG-TTFN-9

2500

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IQE220N15NM5

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PG-TSON-8

2500

OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 150 V,采用 PQFN 3.3x3.3 降源封裝

STW65N045M9-4

ST

TO-247-4

3000

N溝道650 V,39 mOhm典型值,54 A MDmesh M9功率MOSFET,TO-247-4

IPDD60R037CM8

INFINEON

PG-HDSOP-10

1000

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IPW60R016CM8

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TO-247-3

2000

600V CoolMOS? 8 功率 MOSFET 晶體管

IPDQ60T017S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPDQ60T022S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)

IPQC60T022S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

IPQC60T017S7

INFINEON

PG-HDSOP-22

1000

600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)

ISCH42N04LM7

INFINEON

PG?TDSON?8

1000

采用 PQFN 5x6 封裝的下一代同類最佳 OptiMOS? 7 40 V 功率 MOSFET

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

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