商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDD60R037CM8一款600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS? 7 MOSFET 系列(包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7)的后續(xù)產(chǎn)品。
它的柵極電荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%,關(guān)斷損耗 (Eoss) 比 CFD7 進(jìn)一步降低了 12%,反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 比 CFD7 降低了 3%,反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 也是市場上最低的。
參數(shù)描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-10
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 72 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 37 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V
Qg-柵極電荷: 79 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
系列: 600V CM8
配置: Single
下降時(shí)間: 5.8 ns
上升時(shí)間: 7.6 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 101.6 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20.6 ns
潛在應(yīng)用
? 電源和轉(zhuǎn)換器
? PFC級和LLCresonant轉(zhuǎn)換器
? 高能效開關(guān)應(yīng)用
? 例如:服務(wù)器、電信、EVC 充電、UPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS? S7T SJ MOSFET,集成溫度傳感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
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AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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