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產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
封裝：CCPAK1212i
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212
封裝：CCPAK1212
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
封裝：WLCSP-22
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN
封裝：VQFN-7
產(chǎn)品說明：650V 170mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能
封裝：VQFN-38
產(chǎn)品說明：600V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測功能
封裝：54-VQFN
產(chǎn)品說明：100V 4.4mΩ 半橋 GaN FET，帶集成驅(qū)動器和保護功能
封裝：WQFN-16
產(chǎn)品說明：2496–2690MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝：OM?780?4S4S
產(chǎn)品說明：2110-2200MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝：OM- 780- 4S4S
產(chǎn)品說明：通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝：DFN8080-8
產(chǎn)品說明：650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝：DFN5060-5
產(chǎn)品說明：650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝：DFN5060-5
產(chǎn)品說明：150 V、7 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陸柵陣列 (LGA) 封裝
封裝：FCLGA-3
產(chǎn)品說明：650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝：DFN8080-8電話咨詢：86-755-83294757
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