商品名稱:GAN190-650EBEZ
數(shù)據(jù)手冊:GAN190-650EBEZ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:DFN8080-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GAN190-650EBEZ 是一款通用型 650 V、190 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 表面貼裝封裝。它是一款常關(guān)型電子模式器件,具有卓越的性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :11.5A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 190 毫歐 @ 3.9A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 12.2mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-1.4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 96 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 125W(Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝: DFN8080-8
封裝/外殼: 8-VDFN 裸露焊盤
應(yīng)用
高功率密度和高效率電源轉(zhuǎn)換
交流-直流轉(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC
直流-直流轉(zhuǎn)換器
快速電池充電、手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C 充電器
數(shù)據(jù)通信和電信(AC-DC 和 DC-DC)轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動器
太陽能(光伏)逆變器
D 類音頻放大器、電視 PSU 和 LED 驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET,采用標(biāo)準(zhǔn)7引腳TO-263塑料封裝(用于表面貼裝PCB技術(shù)),具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應(yīng)用,包括電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動器。NSF060120D7A0J的規(guī)格:通道模式…NSF040120L4A0Q
NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅(SiC)的1200V功率MOSFET,采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝,具有出色的漏源導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開關(guān)損耗、快速反向恢復(fù)和快速開關(guān)速度。典型應(yīng)用包括電動汽車(ev)充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開關(guān)模式電源(SMPS)、不間斷…電話咨詢:86-755-83294757
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