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產(chǎn)品說明:Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率級(jí)IC
封裝:VQFN-46產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A(Tj) TO-263-7LA
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A(Tc) TO-263-7LA
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 39A(Tj) 165W TO-247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tj) 134W TO-247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 134W TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 24A(Tj) 134W TO-247-4L
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7LA
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A(Tc) TO-263-7LA
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:搭載600V IGBT 智能電源模塊 (IPM)
封裝:HSDIP-25產(chǎn)品說明:Nano Cap?,EcoGaN?,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率級(jí) IC
封裝:VQFN-46電話咨詢:86-755-83294757
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