商品名稱:氮化鎵晶體管
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:VQFN-46
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝,與以往的分立解決方案相比,由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。另外,其柵極驅(qū)動強(qiáng)度可調(diào)節(jié),這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護(hù)功能和其他附加功能,可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計(jì)旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器,因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。
特點(diǎn):
Nano Cap? 集成輸出可選 5V LDO
長期支持工業(yè)應(yīng)用的產(chǎn)品
VDD 引腳電壓工作范圍寬
IN 引腳電壓工作范圍寬
低 VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高 dv/dt 抗擾度
可調(diào)柵極驅(qū)動強(qiáng)度
電源良好信號輸出
VDD UVLO 保護(hù)
熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用:
? 工業(yè)設(shè)備、高功率密度、高效率要求或橋式拓?fù)涞碾娫矗鐖D騰柱 PFC、LLC 電源、適配器等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計(jì)可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFE…電話咨詢:86-755-83294757
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