IGW75N65H5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一款高速器件,設計具有終極效率,適用于開關速率大于30kHz的應用。該款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP? 5技術,集成了RAPID 1快速柔性反向并聯二極管。IGW75N65H5在硬開關和諧振拓撲中提供同類最佳效率,并且是上一代IGBT的即插即用替代品…
IGW75N65H5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一款高速器件,設計具有終極效率,適用于開關速率大于30kHz的應用。該款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP? 5技術,集成了RAPID 1快速柔性反向并聯二極管。IGW75N65H5在硬開關和諧振拓撲中提供同類最佳效率,并且是上一代IGBT的即插即用替代品。典型應用包括UPS、焊接變流器、太陽能電池組列逆變器和中高頻開關變頻器。
技術參數
IGW75N65H5的主要技術參數包括:
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓:1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:120 A
Pd-功率耗散:395 W
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 175 C
系列:Trenchstop IGBT5
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風格:Through Hole
柵極—射極漏泄電流:100 nA
產品類型:IGBT Transistors
零件號別名:IGW75N65H5 SP001257936
單位重量:6.100 g
應用領域
IGW75N65H5適用于需要高效能和高可靠性的應用場景,如:
家用電器?:由于其高效能和可靠性,適用于各種家用電器中的功率轉換需求。
工業(yè)控制?:在工業(yè)控制系統中,IGW75N65H5的高效率和低損耗特性使其成為理想選擇。
汽車電子?:在汽車電子系統中,如電動車輛和混合動力車輛的功率轉換和控制系統。
特點和優(yōu)勢
IGW75N65H5的特點包括:
650V 擊穿電壓
對比英飛凌業(yè)界卓著的“HighSpeed 3”系列
Q g系數降低2.5倍
開關損耗系數降低2倍
V CE (sat)減少了200mV
低C OES/E OSS
溫和正溫度系數VCE (sat)
V f 的溫度穩(wěn)定性
IGW75N65H5的優(yōu)勢包括:
具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性
母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性
更高的功率密度設計
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