深圳市明佳達(dá)電子有限公司出售SiC功率MOSFET《SCT3080KW7TL、SCT3080AW7TL》1200V 30A, 7端子SMD，全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，歡迎咨詢！SCT3080KW7是1200V 30A的Nch SiC功率MOSFET。采用溝槽結(jié)構(gòu)，降低了導(dǎo)通電阻。制造商：Rohm Semiconductor產(chǎn)品編號：SCT3080KW7T…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司出售SiC功率MOSFET《SCT3080KW7TL、SCT3080AW7TL》1200V 30A, 7端子SMD，全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，歡迎咨詢！
SCT3080KW7是1200V 30A的Nch SiC功率MOSFET。采用溝槽結(jié)構(gòu)，降低了導(dǎo)通電阻。
制造商：Rohm Semiconductor
產(chǎn)品編號：SCT3080KW7TL、SCT3080AW7TL
描述：SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
批次：新23+
詳細(xì)描述：表面貼裝型 N 通道 1200 V 30A（Tc） 159W TO-263-7
產(chǎn)品屬性
FET： 類型 N 通道
技術(shù)： SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）： 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 30A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 104 毫歐 @ 10A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +22V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 785 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 159W
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器：件封裝 TO-263-7
封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
基本產(chǎn)品編號： SCT3080
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