最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25C），HiP247封裝SCTW100N65G2AG產(chǎn)品概述描述該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進(jìn)、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)IGBT晶體管 SCTW100N65G2AG 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封裝
SCTW100N65G2AG產(chǎn)品概述
描述
該碳化硅功率MOSFET晶體管采用ST先進(jìn)、創(chuàng)新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。器件具有每區(qū)域超低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻和卓越的開關(guān)性能。RDS(on) 和開關(guān)損耗的變化受工作結(jié)溫的影響都非常小。
所有功能
專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)
導(dǎo)通電阻隨溫度變化敏感溫度
穩(wěn)定的超快速本體二極管
適應(yīng)非常高的工作溫度 (TJ = 200 °C)
低電容
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 162 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 200 C
Pd-功率耗散: 420 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: SCTW100N65G2AG
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 4.500 g
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