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羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》MOSFET - 陣列 30V 9A,8A 1.5W 表面貼裝型

羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》MOSFET - 陣列 30V 9A,8A 1.5W 表面貼裝型

來源:本站時間:2023-05-30瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司出售羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信號 MOSFET 全新原裝,質量保證!產品描述ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的開關速度和低導通電阻。這些MOSFET有多種封裝,包括微型的0604尺寸,以節(jié)省各種設計中的空間。ROHM Semi…

深圳市明佳達電子有限公司出售羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信號 MOSFET 全新原裝,質量保證!


產品描述

ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的開關速度和低導通電阻。這些MOSFET有多種封裝,包括微型的0604尺寸,以節(jié)省各種設計中的空間。


ROHM Semiconductor 硅功率 MOSFET 提供一系列驅動類型(0.9V 至 20V),使其非常適合各種應用。


特性

1) 低導通電阻

2) 小型表面貼裝封裝(TSMT8)

3) 無鉛電鍍;符合RoHS標準

4) 無鹵素


應用

開關


產品屬性

技術: MOSFET(金屬氧化物)  

配置: N 和 P 溝道  

FET 功能: -  

漏源電壓(Vdss): 30V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :9A,8A  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 16 毫歐 @ 9A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 15.5nC @ 10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 640pF @ 15V  

功率 - 最大值: 1.5W  

工作溫度: 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線  

供應商器件封裝: TSMT8  

基本產品編號: QH8MA4 

QH8MA4TCR.jpg

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