商品名稱:QH8MA4TCR
數(shù)據(jù)手冊(cè):QH8MA4TCR.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TSMT8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:12000 件
特性
1) 低導(dǎo)通電阻
2) 小型表面貼裝封裝(TSMT8)
3) 無(wú)鉛電鍍;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
4) 無(wú)鹵素
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)
ROHM半導(dǎo)體公司的硅功率MOSFET提供一系列驅(qū)動(dòng)類型(0.9V至20V),使其非常適合各種應(yīng)用。
QH8MA4TCR 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSMT-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A, 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.3 mOhms, 22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 2.5 V
Qg-柵極電荷: 15.5 nC, 19.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.6 W
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降時(shí)間: 7 ns, 22 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.4 S, 5.5 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 19 ns, 16 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 33 ns, 55 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8 ns, 10 ns
零件號(hào)別名: QH8MA4
單位重量: 10 mg
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
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BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…電話咨詢:86-755-83294757
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