最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30m? GaN FET器件驅(qū)動(dòng)器。產(chǎn)品概述： LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度?！?/p>
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30m? GaN FET器件驅(qū)動(dòng)器。
產(chǎn)品概述：
LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI GaN FET的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)SOA。這種集成與TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和最小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在20V/ns至150V/ns之間，可用于主動(dòng)控制EMI并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET具有高級(jí)電源管理特性，包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。報(bào)告的故障包括過(guò)熱、過(guò)流和UVLO監(jiān)控。
LMG3522R030RQSR產(chǎn)品規(guī)格：
輸出配置：低端
應(yīng)用：DC 電機(jī)，通用
接口：PWM
負(fù)載類型：電感，電容性，電阻
技術(shù)：NMOS
導(dǎo)通電阻（典型值）：26 毫歐
電流 - 輸出/通道：38A
電流 - 峰值輸出：-
電壓 - 供電：7.5V ~ 18V
電壓 - 負(fù)載：650V
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
特性：-
故障保護(hù)：限流（可調(diào)），超溫，短路，UVLO
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：52-VQFN、52-VQFN（12x12）
LMG3522R030RQSR GaN FET器件設(shè)計(jì)可用于：
開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
商用電信用整流器
光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
不間斷電源
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