商品名稱:LMG3522R030RQSR
數(shù)據(jù)手冊:LMG3522R030RQSR.pdf
品牌:TI
年份:23+
封裝:VQFN-52
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:6000 件
LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成與TI’的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴??烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在20V/ns至150V/ns之間,可用于主動(dòng)控制EMI并優(yōu)化開關(guān)性能。
特性
帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的650V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
FET保持關(guān)斷:200V/ns
開關(guān)頻率:2MHz
20V/ns至150V/ns壓擺率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解EMI
在7.5V至18V電源下工作
高級(jí)電源管理
數(shù)字溫度PWM輸出
強(qiáng)大的保護(hù)功能
響應(yīng)時(shí)間少于100ns的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
硬開關(guān)時(shí)可承受720V浪涌
針對內(nèi)部過熱和UVLO監(jiān)控的自我保護(hù)
頂部冷卻12mm x 12mm VQFN封裝可隔離電氣和熱路徑,實(shí)現(xiàn)最低功耗環(huán)路電感
應(yīng)用
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
商用電信用整流器
光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
不間斷電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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德州儀器(Texas Instruments),簡稱TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實(shí)世界的信號(hào)處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號(hào)處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個(gè)國家設(shè)有制造…
DP83TC811SWRNDRQ1
DP83TC811SWRNDRQ1低功耗汽車PHYTER 100BASE-T1以太網(wǎng)物理層收發(fā)器通過屏蔽單雙絞線提供傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的物理層功能。該器件通過支持標(biāo)準(zhǔn)MII、RMII、RGMII和SGMII MAC接口實(shí)現(xiàn)xMII靈活性。配套診斷工具套件通過各種實(shí)時(shí)監(jiān)控工具集成調(diào)試工具和測試模式。該套件包含一…M0G3506QPTRQ1
M0G3506QPTRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3505QPTRQ1
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