商品名稱:BSC100N06LS3GATMA1
數(shù)據(jù)手冊:BSC100N06LS3GATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
N通道BSC100N06LS3GATMA1功率晶體管8-PowerTDFN集成電路芯片
產(chǎn)品介紹
BSC100N06LS3GATMA1是60V OptiMOS 3功率晶體管,可用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用,如電機控制、太陽能微逆變器和快速開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:60 V
Id - 連續(xù)漏極電流:50 A
Rds On - 漏極-源極電阻:10 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.2 V
Qg - 柵極電荷: 34 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 50 W
通道模式: 增強型
配置: 單一
下降時間:8 ns
正向電導(dǎo)率 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;"> 32 S
高度:1.27毫米
長度:5.9毫米
上升時間:58 ns
特點
提高了功率密度
高系統(tǒng)效率
非常低的通態(tài)電阻R DS(on)
非常低的電壓過沖
是快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇
卓越的柵極電荷x R DS(on)產(chǎn)品(FOM)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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