商品名稱：N 溝道 MOSFET
品牌：ST
年份：24+
封裝：PowerFLAT-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
這款 N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技術，具有增強型溝槽柵結(jié)構(gòu)。
它能確保極低的導通電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快、更高效的開關。
特性
? 通過 AEC-Q101 認證
? MSL1 等級
? 175 °C 工作溫度
? 100% 通過雪崩測試
? 可濕側(cè)面封裝
應用
? 開關應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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