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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPD35N10S3L26ATMA1

商品名稱:IPD35N10S3L26ATMA1

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-252-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPD35N10S3L26ATMA1
封裝
TO-252-3
描述
N溝道晶體管100 V 35A (Tc) 71W (Tc) 表面貼裝

產(chǎn)品描述

N通道IPD35N10S3L26ATMA1 100V汽車級(jí)MOSFET晶體管 TO-252-3


規(guī)格

晶體管極性: N-溝道

通道數(shù): 1個(gè)通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓:100V

Id - 連續(xù)漏極電流:35 A

Rds On - 漏極-源極電阻:20 mOhms

Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.2 V

Qg - 柵極電荷: 39 nC

最低工作溫度:- 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率耗散: 71 W

通道模式: 增強(qiáng)型


產(chǎn)品說明

IPD35N10S3L26ATMA1是OptiMOS?-T功率晶體管,優(yōu)化了總柵極電荷,可用于較小的驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)。


特點(diǎn)

N溝道 - 增強(qiáng)模式

100%雪崩測(cè)試

175°C工作溫度

最大電流可達(dá)180A

MSL1峰值返回溫度高達(dá)260°C

低開關(guān)功率和傳導(dǎo)功率損耗,熱效率高


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

RCX450N20

ROHM

TO-220-3

5000

通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM

NTHL099N60S5

ON

TO-247-3

2500

MOSFET - 功率,單 N 溝道,SUPERFET V,易驅(qū)動(dòng),TO247-3L 600 V,99 m,33 A

NTBGS1D5N06C

ON

D2PAK-7

25000

MOSFET - 功率,單 N 溝道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON

5-DFN

15000

MOSFET - 功率,單 N 溝道 40 V,0.92 m,300 A

NTB7D3N15MC

ON

TO-263-3

5000

MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

STL175N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

STL170N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝

STL305N4LF8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET

STL165N10F8AG

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝

STL300N4LF8

ST

PowerFLAT-4

1000

N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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