商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IAUC120N06S5L011 是 60V N 溝道汽車 MOSFET 晶體管。采用全新 OptiMOS? 5 技術(shù)的 60V MOSFET 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的單 SS08小尺寸封裝,具有領(lǐng)先的性能,可提供低 RDSon、Qg 和柵極電容,并最大限度地降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
IAUC120N06S5L011 的優(yōu)勢(shì)
擴(kuò)展的汽車認(rèn)證(超越 AEC-Q101)
熱性能優(yōu)異,外形小巧
低柵極電荷和 Qrr,可降低開關(guān)損耗
電流能力提高 20%(SSO8 與 DPAK 相比)
IAUC120N06S5L011 的應(yīng)用
DCDC
用于 CAV 的 E(H)PS
電池?cái)噙B開關(guān)
一般汽車應(yīng)用
車身電子設(shè)備和配電
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…FZ1000R45KL3
FZ1000R45KL3 是 IHV 4500 V、1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT3、發(fā)射極受控 3 二極管和隔離的 AlSiC 底板。FZ1000R45KL3 的特點(diǎn)高直流穩(wěn)定性高短路能力,自限制短路電流高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性低 V(CEsat),正溫度系數(shù)10.2 kV 交流隔離高爬電距離和間隙距…FZ1800R45HL4
FZ1800R45HL4 是 IHV-B 4500 V、1800 A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT4、發(fā)射極受控 4 個(gè)二極管和隔離 AlSiC 底板 - 是工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。FZ1800R45HL4 的特點(diǎn)極低的靜態(tài)損耗最高的動(dòng)態(tài)魯棒性高直流穩(wěn)定性正溫度系數(shù)的低 VCEsatFZ1800R45HL4 的優(yōu)…FP75R17N3E4
FP75R17N3E4 是 EconoPIM?3 模塊,帶有溝槽/場(chǎng)截止 IGBT4 和發(fā)射極可控二極管及 NTC。FP75R17N3E4 的特點(diǎn)擴(kuò)展工作溫度 Tvjop低 VcEsat溝槽式 IGBT 4正溫度系數(shù) VcEsat集成 NTC 溫度傳感器隔離底板焊接接觸技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)外殼FP75R17N3E4 的應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器FD300R17KE4P
FD300R17KE4P 是 62 mm 1700 V、300 A 斬波器 IGBT4 模塊,預(yù)涂有熱界面材料。FD300R17KE4P 的特點(diǎn)專為變頻控制驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)通過 UL/CSA 認(rèn)證,符合 UL1557 E83336 標(biāo)準(zhǔn)過載能力最高可達(dá) 175 C優(yōu)化的開關(guān)性能符合 RoHS 規(guī)范FD300R17KE4P 的優(yōu)點(diǎn)靈活性最佳電氣性能最高可靠性…IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1H:采用TO247-4封裝的1200V,CoolSiC?溝槽式碳化硅 MOSFET 晶體管基本信息:型號(hào):IMZ120R060M1H封裝:TO-247-4類型:CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管概述:IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封裝的1200V、60mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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