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IPD50P04P4L-11 是一款 P 溝道、增強(qiáng)模式、邏輯電平 MOSFET，40V 時(shí)最大 RDSon 為 10.6 mΩ。它通過(guò)了 AEC 認(rèn)證，符合 RoHS 規(guī)范，適用于反向電池保護(hù)和高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

IPD50P04P4L-11 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 17.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 45 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q100

配置: Single

下降時(shí)間: 39 ns

高度: 2.3 mm

長(zhǎng)度: 6.5 mm

上升時(shí)間: 9 ns

系列: XPD50P04

晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

寬度: 6.22 mm

潛在應(yīng)用

用于電機(jī)橋（半橋、H 橋、三相電機(jī)）的高壓側(cè) MOSFET

可使用 40V P 溝道作為高壓側(cè)器件實(shí)現(xiàn)電橋配置，無(wú)需充電泵

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