商品名稱：功率 MOSFET 晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TO263-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IPB022N12NM6 是 100V N 溝道 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管，具有雙側(cè)冷卻功能，可提高散熱性能。
特性
業(yè)界最低的 RDS(on) 和 FOM
平衡開關和傳導損耗
廣泛的封裝選擇
工業(yè)認證
出色的功率處理能力，堅固耐用
優(yōu)勢
效率高、功率密度大
系統(tǒng)可靠性高
靈活選擇 PCB 材料
應用
電動工具和園藝工具
適配器和快速充電器
太陽能
電信
輕型電動車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
3000
100V, N-Ch, 最大值2.1 m?, 車規(guī)級MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS? 7
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級，7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格：FET 類型：N …
AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。優(yōu)勢：更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R030M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1…
AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?；緟?shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R040M1TFET 類型：N 通…
AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET，采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R060M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連…
AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應用而設計。基本參數(shù)：產(chǎn)品：AIMCQ120R080M1TFET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢：86-755-83294757
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