商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
GS-065-011-6-LR-MR 是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管,具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率等特性。它采用底部冷卻 PDFN 封裝,結(jié)殼熱阻極低,非常適合要求苛刻的大功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起,確保了極高的功率開關(guān)效率。
特性
700 V 電子模式功率晶體管
850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓
底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝
RDS(on) = 125 mΩ
IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A
超低 FOM
柵極驅(qū)動(dòng)要求(0 V 至 6 V)
開關(guān)頻率高(> 1 MHz)
快速、可控的下降和上升時(shí)間
反向?qū)芰?/span>
零反向恢復(fù)損耗
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 12.2A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(8x8)
封裝/外殼: 8-VDFN 裸露焊盤
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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