服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):N 溝道 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
AIMZH120R010M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術(shù)(Gen1p),SiC Mosfet 具有同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)性能、對(duì)寄生開(kāi)通的穩(wěn)健性以及改進(jìn)的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本,使其成為車(chē)載充電器和 DCDC 應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):202A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.3 毫歐 @ 93A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 30mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):178 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5703 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):750W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車(chē)級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-11
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
板載充電器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
輔助驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車(chē)CoolSiC MOSFET專(zhuān)門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。優(yōu)勢(shì):更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專(zhuān)門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類(lèi)型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專(zhuān)門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車(chē)用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車(chē)MOSFET 1200 V專(zhuān)門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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