商品名稱:晶體管
品牌:ST
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STW52NK25Z - 采用 TO-247 封裝的 250V、45mOhm N 溝道 SuperMESH 功率 MOSFET 晶體管
型號(hào):STW52NK25Z
封裝:TO-247-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:N 溝道 250V 52A (Tc) 300W (Tc) 通孔 TO-247-3
產(chǎn)品概覽
STW52NK25Z - SuperMESH? 系列是通過(guò)對(duì)意法半導(dǎo)體成熟的條形 PowerMESH? 布局進(jìn)行極致優(yōu)化而實(shí)現(xiàn)的。除了大幅降低導(dǎo)通電阻外,還特別注意確保為最苛刻的應(yīng)用提供非常出色的 dv/dt 能力。該系列是對(duì)意法半導(dǎo)體全系列高壓 MOSFET(包括革命性的 MDmesh? 產(chǎn)品)的補(bǔ)充。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 250 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 52A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 45 毫歐 @ 26A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 4850 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32MP157AAB3
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