商品名稱:GHXS010A060S-D3
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GHXS010A060S-D3是一款600V 、10A碳化硅肖特基二極管模塊。SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應來提高性能。SemiQ SiC肖特基二極管在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能,簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設計。
產品屬性
二極管配置:2 個獨立式
技術:SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):10A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 10 A
速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100 μA @ 600 V
工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227
基本產品編號:GHXS010
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應用的創(chuàng)新設計。產品屬性FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關損耗、低結殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結溫下工作,符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉換器。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET …電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: