GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關損耗、低結殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175°C結溫下工作,符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉換器。
規(guī)格
技術:碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):348A (Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 80mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):978nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):29300pF @ 800V
功率 - 最大值:1.042kW(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級:-
資質:-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應用的創(chuàng)新設計。產品屬性FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產品屬性技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET …GCMX080A120B2H1P
SemiQ推出全新太陽能逆變器和電動汽車充電用全橋配置的高效緊湊型MOSFET模塊,GCMX080A120B2H1P 1200V、27A SiC全橋模塊就是其中的一員。這些高性能1200V SiC模塊經過1400V以上的測試,旨在在高頻和高功率環(huán)境中可靠運行。規(guī)格技術:碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(全橋)…電話咨詢:86-755-83294757
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