商品名稱：NVMFS4C03NWFT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NVMFS4C03NWFT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：5-DFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NVMFS4C03NWFT1G 是適用于緊湊和高效設計的汽車用邏輯電平，30V，159A，1.7mΩ功率MOSFET，采用 5x6mm 扁平引線封裝，具有較高的熱性能。該功率MOSFET可用于增強光學檢測的可潤濕側翼選項。
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31.4A（Ta），143A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3071 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.71W（Ta），77W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線
基本產(chǎn)品編號：NVMFS4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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概述：NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM，由一個高壓驅動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成，適用于驅動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產(chǎn)品：NFAP1060R4TT類型：IPM 模塊配置：三相反相器電流：10 A電壓：600 V電壓 - 隔離：2000Vrms…電話咨詢：86-755-83294757
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