商品名稱:NVMFS5C430NWFAFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS5C430NWFAFT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMFS5C430NWFAFT1G 是一款適用于緊湊和高效設(shè)計的汽車用40V,185A,1.7mΩ功率 MOSFET,安裝在 5x6mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能??捎糜谠鰪姽鈱W(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選項。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),185A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.7 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),106W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
基本產(chǎn)品編號:NVMFS5
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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介紹:NFAP2060R4TT是一款完全集成的逆變器功率級IPM模塊,由1個高壓驅(qū)動器、6個IGBT和1個熱敏電阻器組成,適用于驅(qū)動永磁同步 (PMSM) 電機、無刷直流 (BLDC) 電機和交流異步電機。產(chǎn)品:NFAP2060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2…NFAP1560R4TT
概述:NFAP1560R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,該模塊包括1個高壓驅(qū)動器、6個IGBT和1個熱敏電阻器,適用于驅(qū)動永磁同步 (PMSM) 電機、無刷直流 (BLDC) 電機和交流異步電機。產(chǎn)品:NFAP1560R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:15 A電壓:600 V電壓 - 隔離:…NFAP1060R4TT
概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,由一個高壓驅(qū)動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅(qū)動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產(chǎn)品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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