商品名稱：SCT3080KRC15
數(shù)據(jù)手冊：
SCT3080KRC15.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：TO-247-4L
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1200 件
SCT3080KRC15 - N 溝道 SiC 功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性
FET 類型：N 通道
技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：104 毫歐 @ 10A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：60 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：785 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）：165W
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L
封裝/外殼：TO-247-4
產(chǎn)品特性
導(dǎo)通電阻低
開關(guān)速度快
快速反向恢復(fù)
易于并聯(lián)
驅(qū)動(dòng)簡單
應(yīng)用
太陽能逆變器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
感應(yīng)加熱
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小…
SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝，設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時(shí)電流…
SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET，非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計(jì)可降低約35％的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技…
SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的4引腳封裝，能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅…
SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiCFE…電話咨詢：86-755-83294757
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