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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

RGA80TSX2HRC11

產(chǎn)品說明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-247N-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TSX2EHRC11

產(chǎn)品說明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-247N-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2HRC15

產(chǎn)品說明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGA80TRX2EHRC15

產(chǎn)品說明：用于汽車的 1200V 69A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RCX450N20

產(chǎn)品說明：通孔 N 通道 200 V 45A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM

封裝：TO-220-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650V 59A 228W 表面貼裝型 TO-263L

封裝：TO-263-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650V 59A 228W 表面貼裝型 TO-263L

封裝：TO-263-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650V 50A 206W 表面貼裝型 TO-263L

封裝：TO-263-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：IGBT 晶體管，8 秒短路容差，650V 15A

封裝：TO-263-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：650V 40A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

產(chǎn)品說明：650V 30A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 25A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40NL65DHRBTL

產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40TK65DGVC11

產(chǎn)品說明：650V 20A 現(xiàn)場截止溝槽式 IGBT 晶體管

封裝：TO-3PFM
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65CHRC11

產(chǎn)品說明：內(nèi)置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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