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操作
產(chǎn)品說(shuō)明:80V,N-Ch,最大 3.4 mΩ,汽車 MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS? 7
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說(shuō)明:80V,N-Ch,最大 2.4 mΩ,汽車 MOSFET,SSO8 (5x6),OptiMOS? 7
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說(shuō)明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:200 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的汽車功率 MOSFET
封裝:PG-HSOG-4產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說(shuō)明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:200 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的汽車功率 MOSFET
封裝:PG-HSOG-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:150A,40V,汽車功率 MOSFET 晶體管,PG-HSOG-4
封裝:PG-HSOG-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:30V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8電話咨詢:86-755-83294757
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