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最新資訊這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。
為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線(xiàn)性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。
該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS Linear FET相比，OptiMOS Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流，并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。這使每個(gè)控制器可以并聯(lián)更多的 MOSFET，不僅降低了物料（BOM）成本，還通過(guò)擴(kuò)展產(chǎn)品組合為設(shè)計(jì)帶來(lái)了更大的靈活性。
100 V OptiMOS Linear FET 2采用 TO-leadless封裝（TOLL）。與 RDS(on)相近的標(biāo)準(zhǔn)OptiMOS 5 相比，該器件在10 ms、54 V時(shí)的SOA高出12倍，在100 μs時(shí)的SOA高出 3.5 倍。后一項(xiàng)改進(jìn)對(duì)于電池管理系統(tǒng)（BMS）在短路情況下進(jìn)行電池保護(hù)尤為重要。在短路情況下，保障系統(tǒng)設(shè)計(jì)和可靠性的關(guān)鍵在于并聯(lián)MOSFET之間的電流分配。
OptiMOS 5 Linear FET 2通過(guò)優(yōu)化傳輸特性改進(jìn)了電流分配。憑借寬SOA和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的電流分流，在元件數(shù)量由短路電流要求決定的設(shè)計(jì)中，元件數(shù)量最多可減少 60%。這實(shí)現(xiàn)了高功率密度、高效率且高度可靠的電池保護(hù)，可被廣泛用于電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、叉車(chē)、電池備用電源、純電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。
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