11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士表…
11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。
據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。
SK 海力士表示：“公司從 2023 年 6 月量產(chǎn)當前最高的上一代 238 層 NAND 閃存產(chǎn)品，并供應于市場，此次又率先推出了超過 300 層的 NAND 閃存，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供 321 層產(chǎn)品，由此應對市場需求?！?/span>
據(jù)介紹，SK 海力士在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高效的“3-Plug”工藝技術，克服了堆疊局限。
據(jù)悉，該技術分三次進行通孔工藝流程，隨后經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工藝將 3 個通孔進行電氣連接。在其過程中開發(fā)出了低變形材料，引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。
此外，SK 海力士技術團隊也將上一代 238 層 NAND 閃存的開發(fā)平臺應用于 321 層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產(chǎn)效率提升了 59%。
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