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[供應(yīng)] STM32H735IGT3- 基于32位Arm Cortex?-M7內(nèi)核,頻率高達(dá)550 MHz

[供應(yīng)] STM32H735IGT3- 基于32位Arm Cortex?-M7內(nèi)核,頻率高達(dá)550 MHz

來源:本站時間:2024-10-21瀏覽數(shù):

STM32H735IGT3是一款帶DP-FPU的高性能DSP、帶1MB閃存的Arm Cortex-M7 MCU、564KB RAM、550 MHz CPU。

說明:

STM32H735IGT3是一款帶DP-FPU的高性能DSP、帶1MB閃存的Arm Cortex-M7 MCU、564KB RAM、550 MHz CPU。


STM32H7系列基于32位Arm Cortex?-M7內(nèi)核,運(yùn)行頻率高達(dá)600 MHz。具有單核和雙核版本 (Cortex?-M7 + Cortex?-M4),獲得了基于Cortex?-M的微控制器行業(yè)迄今最高的基準(zhǔn)測試分?jǐn)?shù),高達(dá)3224 CoreMark。它還支持從內(nèi)部和外部存儲器執(zhí)行以及實(shí)時解密/加密。


STM32H7系列提供從64 KB到2 MB不等的嵌入式Flash存儲器。該存儲器基于意法半導(dǎo)體的非易失性存儲器 (NVM) 技術(shù),采用40 nm工藝制造。


STM32H735高性能特性包括:

多電源域架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)將不同的電源域配置為低功耗模式,進(jìn)而優(yōu)化功耗效率

內(nèi)置SMPS,用于降低電源電壓。還可用于為外部電路供電,以及特定應(yīng)用情況下結(jié)合LDO共同使用。

USB調(diào)節(jié)器提供嵌入式物理接口層(PHY)

在運(yùn)行模式(外設(shè)關(guān)),典型為147 μ/MHz @VDD = 3.3 V和25 °C

低功耗待機(jī)模式下的典型功耗電流為3.5 μA

在不帶RTC、帶4 KB備用的VBAT模式(低功耗模式)下,典型功耗為1.45 *μA


應(yīng)用:

智能工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

智能家居

個人電子產(chǎn)品

智慧城市

醫(yī)療保健


基本參數(shù):

產(chǎn)品:STM32H735IGT3

類型:ARM微控制器 - MCU

系列:STM32H7

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:LQFP-176

核心:ARM Cortex M7

程序存儲器大小:1 MB

數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit

ADC分辨率:12 bit, 16 bit

最大時鐘頻率:550 MHz

輸入/輸出端數(shù)量:119 I/O

數(shù)據(jù) RAM 大?。?64 kB

工作溫度:- 40°C 至 + 125°C


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