深圳市明佳達(dá)電子有限公司【收購】英飛凌具有極高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN?晶體管700 V G4描述：英飛凌700V CoolGaN?功率晶體管是增強(qiáng)模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，如獲得…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【收購】英飛凌具有極高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN?晶體管700 V G4
描述：
英飛凌700V CoolGaN?功率晶體管是增強(qiáng)模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，如獲得專利的Island Technology? 單元布局，實(shí)現(xiàn)了大電流裸芯和高產(chǎn)量。這些700V CoolGaN功率晶體管可在電源開關(guān)中實(shí)現(xiàn)超高功率密度設(shè)計(jì)和高系統(tǒng)效率。GS-065功率晶體管采用底部冷卻PDFN封裝。
產(chǎn)品屬性：
FET 類型： N 通道
技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 54 毫歐 @ 5.5A，6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 7.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC @ 6 V
Vgs（最大值）： +7V，-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 235 pF @ 400 V
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： 8-PDFN（8x8）
封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤
該功率晶體管具有非常低的結(jié)殼熱阻，因此非常適合用于要求苛刻的大功率應(yīng)用。其中一些應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和計(jì)算解決方案、電源適配器、LED照明驅(qū)動器、開關(guān)模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和電機(jī)驅(qū)動器。
明佳達(dá)公司是一家全球知名品牌電子元器件回收商，主要產(chǎn)品包括不限于：5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、基站IC、通信IC、人工智能IC、醫(yī)療IC、家電IC、語音IC、存儲器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、手機(jī)IC、蘋果手機(jī)IC/手表IC、可穿戴IC、連接器、照明IC、電容電阻、TO-247、二三極管等電子產(chǎn)品。
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