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英飛凌展出GaN新品和IGBT 7器件,推動儲能和工業(yè)應(yīng)用提升效率

英飛凌展出GaN新品和IGBT 7器件,推動儲能和工業(yè)應(yīng)用提升效率

來源:本站時間:2024-09-05瀏覽數(shù):

8月5日消息,8月28日到30日,英飛凌(Infineon)亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)”,圍繞“數(shù)字低碳,共創(chuàng)未來”的品牌愿景,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款…

8月5日消息,8月28日到30日,英飛凌(Infineon)亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia)”,圍繞“數(shù)字低碳,共創(chuàng)未來”的品牌愿景,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場探館,和大家分享一下現(xiàn)場所見。


在PCIM展上,英飛凌展出了三款氮化鎵功率器件解決方案。一是雷蛇280W氮化鎵充電器;二是英飛凌中壓氮化鎵馬達驅(qū)動方案;三是650V CoolGaN?雙向開關(guān)BDS演示版。


現(xiàn)場工作人員介紹,這款雷蛇280W淡化及充電器采用英飛凌GaN芯片,GaN充電器為筆記本電腦游戲市場帶來新增長動力,英飛凌的氮化鎵芯片令適配器更小、更輕、更強大和更加環(huán)保,該適配器使用兩個GS-065-030-2-L GaN晶體管。


今年,人形機器人賽道大熱,隨著人形機器人的快速發(fā)展,高功率密度的馬達驅(qū)動產(chǎn)品需求日益旺盛?;谠械墓杌雽?dǎo)體開關(guān)器件所設(shè)計的馬達驅(qū)動,在提高功率密度方案有較大挑戰(zhàn),借助英飛凌推出的中壓氮化鎵馬達驅(qū)動方案,可以將開關(guān)頻率從20KHz提高到100KHz,進而大幅度提升功率密度。而且開關(guān)頻率的提升有助于改善電機和減速器性能,從而提高整機的系統(tǒng)效率。


現(xiàn)場,英飛凌650V 雙向開關(guān)(BDS)氮化鎵產(chǎn)品引起記者的注意。這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款雙向開關(guān)概念器件,在拓?fù)涞葢?yīng)用領(lǐng)域,通過一顆CoolGaN? BDS就可以實現(xiàn)之前四顆芯片才能完成的功能,簡化客戶傳統(tǒng)的雙邊開關(guān)復(fù)雜電路設(shè)計,大幅提升性能和優(yōu)化成本。該產(chǎn)品可應(yīng)用于包括服務(wù)器中的母板和UPS、消費電子中的OVP和USB-OTG、電動工具中的電池管理等。這款產(chǎn)品在智能家居、工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛。


在PCIM展會上,英飛凌展出了TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK 3+1200V半橋模塊,PrimPACK3+ 2300V 1800A IGBT7模塊,現(xiàn)場工作人員表示,IGBT7技術(shù)比較上一代技術(shù)開關(guān)損耗小,由于IGBT7采用12吋晶圓,成本優(yōu)勢明顯。以采用微溝槽技術(shù)1200V TRENCHSTOP? IGBT7 芯片的62mm 模塊系列為例,其靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗,在以中等開關(guān)頻率工作的工業(yè)電機驅(qū)動中尤為顯著。這些產(chǎn)品主要應(yīng)用場景包括兆瓦級集中式光伏逆變器及儲能、不間斷電源(UPS) 、通用電機驅(qū)動和新興應(yīng)用固態(tài)斷路器。


還有,針對AI服務(wù)器54V輸出平臺,英飛凌開發(fā)的3.3kW PSU專用Demo板,采用了英飛凌的CoolGaN?、CoolSiC?、CoolMOS?設(shè)計,以及英飛凌自有的控制芯片XMC系列等完整的解決方案,可實現(xiàn)整機基準(zhǔn)效率97.5%,功率密度高達96W每英寸立方,解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求。

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