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Nexperia宣布推出采用DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

Nexperia宣布推出采用DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

來源:本站時間:2024-09-02瀏覽數(shù):

Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴展,推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V,支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍,進一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布…

Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴展,推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50  V和80 V,支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍,進一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布,Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT,可滿足設(shè)計人員對節(jié)省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

產(chǎn)品圖片.jpg

與有引腳的器件相比,DFN2020D-3封裝器件可顯著節(jié)省電路板空間。例如,與SOT89相比,它將電路板空間減少了80%,與SOT223相比,它將電路板空間減少了90%。DFN2020D-3封裝還具有側(cè)邊可濕焊盤,可對焊點進行自動光學檢測(AOI),從而確保提高穩(wěn)健性和可靠性。


除了通用晶體管外,Nexperia還發(fā)布了一系列低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。這些器件結(jié)合了超低飽和電壓和高電流增益,有助于提高許多電源應(yīng)用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越,可以取代采用更大封裝的標準晶體管,從而可以在更小的PCB上實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。有關(guān)低VCEsat技術(shù)的更多技術(shù)信息,請參閱此博客文章。


Nexperia為使用雙極結(jié)型晶體管的工程師提供BJT應(yīng)用手冊,這是一本由工程師編寫、供工程師閱讀的實用、全面且最新的參考資料。這讓設(shè)計工程師能夠更好地了解雙極晶體管、其基本原理、熱性能考量和應(yīng)用見解。


要了解有關(guān)Nexperia雙極晶體管的更多信息,請訪問: https://www.nexperia.com/products/bipolar-transistors


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