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晶體管 NTMFS4C024NT1G NTMFS4C024 MOSFET TRENCH 6 30V NCH

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型號(hào)：NTMFS4C024NT1G 

年份：21+ 

封裝：QFN 


產(chǎn)品屬性

制造商: onsemi 

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si 

安裝風(fēng)格: SMD/SMT 

封裝 / 箱體: SO-8FL-4 

晶體管極性: N-Channel 

通道數(shù)量: 1 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V 

Id-連續(xù)漏極電流: 78 A 

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.8 mOhms 

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V 

Qg-柵極電荷: 30 nC 

最小工作溫度: - 55 C 

最大工作溫度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 6.6 W 

通道模式: Enhancement 

配置: Single 

產(chǎn)品類型: MOSFET 

系列: NTMFS4C024N 

工廠包裝數(shù)量:  1500 

子類別: MOSFETs 

單位重量: 750 mg 


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