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ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)

來(lái)源：本站時(shí)間：2022-09-05瀏覽數(shù)：

明佳達(dá)只做原裝正品，推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N溝道 30V MOSFET - 單個(gè)，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，質(zhì)量保證，歡迎咨詢QQ：1668527835電話：13410018555 郵箱：chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com

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型號(hào)：NTMFS4C55NT1G

年份：最新21+

封裝：DFN

NTMFS4 N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。

NTMFS4 采用各種小尺寸封裝選項(xiàng)，可提高設(shè)計(jì)靈活性。

產(chǎn)品屬性

制造商:onsemi

產(chǎn)品種類:MOSFET

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8FL

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:21.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V

Qg-柵極電荷:14 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:33 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:7 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:68 S

長(zhǎng)度:6 mm

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:32 ns

系列:NTMFS4C55N

工廠包裝數(shù)量:1500

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21 ns

典型接通延遲時(shí)間:11 ns

寬度:5 mm

單位重量:540 mg

公司長(zhǎng)期回收MOS管NTMFS4C55NT1G場(chǎng)效應(yīng)管，收購(gòu)個(gè)人庫(kù)存，工廠庫(kù)存，電子元器件，5G模組，新能源模組，5G芯片，基站IC，人工智能IC，網(wǎng)絡(luò)IC，藍(lán)牙IC，手機(jī)IC，汽車IC，通信IC，家電IC，電源IC，驅(qū)動(dòng)IC，物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片，連接器，射頻模塊，存儲(chǔ)器，繼電器，MOS管，單片機(jī)，二三級(jí)管等產(chǎn)品。

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