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全新原裝 IPS65R1K4C6 N溝道 場效應(yīng)管 700V 3.2A TO-251

全新原裝 IPS65R1K4C6 N溝道 場效應(yīng)管 700V 3.2A TO-251

來源:本站時間:2022-10-20瀏覽數(shù):

型號:IPS65R1K4C6 品牌:Infineon 批號:21+ 封裝:TO-251類型描述類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個制造商Infineon Technologies系列CoolMOS?包裝管件FET 類型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss)650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)3.2A(Tc)…

型號:IPS65R1K4C6 

品牌:Infineon  

批號:21+ 

封裝:TO-251

IPS65R1K4C6.png


類型
描述
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS?
包裝
管件
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.2A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)
1.4 歐姆 @ 1A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
10.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
225 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
28W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO251-3-11
封裝/外殼
TO-251-3 短截引線,IPak


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