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出售ST 高性能MCU STM32H743IIT6 ARM微控制器 - MCU

出售ST 高性能MCU STM32H743IIT6 ARM微控制器 - MCU

來(lái)源:本站時(shí)間:2023-09-01瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝出售ST微控制器 STM32H743IIT6 基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)400MHz。產(chǎn)品型號(hào):STM32H743IIT6年份:最新23+封裝:LQFP176說明:Arm Cortex-M7內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝出售ST微控制器 STM32H743IIT6 基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)400MHz。


產(chǎn)品型號(hào):STM32H743IIT6

年份:最新23+

封裝:LQFP176

STM32H743IIT6.jpg

說明:Arm?  Cortex-M7內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU),可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。


特性

核心

具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm? Cortex?-M7內(nèi)核:16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存,

支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線;頻率高達(dá)400MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令

存儲(chǔ)器

高達(dá)2Mbyte閃存,具有同時(shí)讀寫能力

1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用于存儲(chǔ)時(shí)間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù))、864KB的用戶SRAM,以及4KB備份域SRAM

雙模Quad-SPI存儲(chǔ)器接口,運(yùn)行頻率高達(dá)133MHz

具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時(shí)鐘頻率高達(dá)133MHz

CRC計(jì)算單元

安全性

ROP、PC-ROP、主動(dòng)篡改

通用輸入/輸出

多達(dá)168個(gè)具有中斷能力的I/O端口

運(yùn)行速率高達(dá)133MHz的快速I/O

多達(dá)164個(gè)5V容差I(lǐng)/O

復(fù)位和電源管理

3個(gè)獨(dú)立的電源域,可以獨(dú)立地進(jìn)行時(shí)鐘門控或關(guān)閉,以最大限度地提高電源效率:

D1:可實(shí)現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)

D2:通信外設(shè)和計(jì)時(shí)器

D3:復(fù)位/時(shí)鐘控制/電源管理

1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O

POR、PDR、PVD和BOR

嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用USB電源,可為內(nèi)部PHY供電

具有可配置的可擴(kuò)展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器 (LDO),可為數(shù)字電路供電

在運(yùn)行和停止模式下進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)(5個(gè)可配置范圍)

備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)

模擬外設(shè)的參考電壓/VREF+

低功耗模式:睡眠、停止、待機(jī)以及VBAT支持電池充電

低功耗

總電流消耗低至4μA

時(shí)鐘管理

內(nèi)部振蕩器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI

外部振蕩器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE

3個(gè)帶分?jǐn)?shù)模式的PLL(1個(gè)用于系統(tǒng)時(shí)鐘,2個(gè)用于內(nèi)核時(shí)鐘)


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