深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)、回收（64Mbit）S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020 偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM) HyperRAM? KL 24-FBGA。器件說明：S27KL0642GABHI033 和 S27KL0642GABHA020 都是64Mbit 偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)，均采用 24-FBGA 引腳封裝。HYPERRAM?器件…
深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)、回收（64Mbit）S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020 偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM) HyperRAM? KL 24-FBGA。
器件說明：
S27KL0642GABHI033 和 S27KL0642GABHA020 都是64Mbit 偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)，均采用 24-FBGA 引腳封裝。HYPERRAM?器件是一種高速CMOS，自刷新DRAM，具有xSPI (Octal)接口。DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng)內(nèi)存沒有被xSPI接口主(主機)主動讀寫時，設(shè)備內(nèi)的刷新控制邏輯管理DRAM陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作，因此在主機看來，DRAM陣列似乎使用靜態(tài)單元來保留數(shù)據(jù)而不進行刷新。因此，將內(nèi)存更準確地描述為偽靜態(tài)RAM (PSRAM)。
由于DRAM單元不能在讀或?qū)懯聞?wù)期間刷新，因此要求主機限制讀或?qū)懲话l(fā)傳輸長度，以便在需要時允許內(nèi)部邏輯刷新操作。主機必須限制事務(wù)的持續(xù)時間，并允許額外的初始訪問延遲，在新事務(wù)開始時，如果內(nèi)存指示需要刷新操作。
關(guān)鍵特性：
? 外形小巧 – FBGA封裝確保了較小的占板空間
? 低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡化設(shè)計并降低系統(tǒng)成本
? 低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效
? 高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能
HYPERRAM具有高吞吐量、低引腳數(shù)、外形小巧和高能效等優(yōu)點，這使它成為適用于汽車、工業(yè)和通信領(lǐng)域的眾多應(yīng)用的擴展存儲理想之選。
器件規(guī)格：
存儲器類型：易失
存儲器格式：PSRAM
技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）
存儲容量：64Mbit
存儲器組織：8M x 8
存儲器接口：HyperBus
時鐘頻率：200 MHz
寫周期時間 - 字，頁：35ns
訪問時間：35 ns
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）
基本產(chǎn)品編號：S27KL0642
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