最新資訊據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星將于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)第三代 4 納米芯片，將穩(wěn)定制程早期階段的良率問(wèn)題，以及提升性能、功耗和做出面積改進(jìn)。
3 月 13 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星將于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)第三代 4 納米芯片，將穩(wěn)定制程早期階段的良率問(wèn)題，以及提升性能、功耗和做出面積改進(jìn)。
三星電子 12 日公布的《三星電子事業(yè)報(bào)告書(shū)》中顯示，三星將于今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)基于 4nm 工藝的 2.3代芯片。
這是三星電子首次提及 4 納米后續(xù)版本的具體量產(chǎn)時(shí)間。與 4 納米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代產(chǎn)品表現(xiàn)出了更好的性能，而且還帶來(lái)了更低的功耗和更小的面積。
不過(guò)，三星電子在 SF4E 芯片實(shí)現(xiàn)商用之后在芯片產(chǎn)量的管理上也遇到了一系列難題，最終因?yàn)槟芎谋憩F(xiàn)不佳再加上產(chǎn)能限制將大客戶高通拱手讓給了臺(tái)積電。
業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，三星電子目前 4 納米工藝良率可達(dá)到 60%，而臺(tái)積電同類型良率可達(dá)到 70~80%。專家們認(rèn)為，三星電子良品率正在迅速提高，后續(xù)產(chǎn)品的量產(chǎn)也在加快。
隨著三星電子在先進(jìn)工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產(chǎn)能，預(yù)計(jì)可在 5nm 級(jí)以上的工藝量產(chǎn)方面與臺(tái)積電進(jìn)一步進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。
根據(jù)市場(chǎng)研究公司 Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)，截至去年第三季度，4 納米和 5 納米工藝占銷售額占比最高，達(dá)到了 22%，超過(guò)了 6 納米和 7 納米工藝的 16% 和 16、14 和 12 納米工藝的 11%。
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