商品名稱:MT53E768M32D4DT-046?AUT:E
數(shù)據(jù)手冊(cè):MT53E768M32D4DT-046?AUT:E.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-VFBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問(wèn)題。與DDR4相比,這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比,LPDDR4內(nèi)存在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝(MCP)和封裝體疊層(PoP)設(shè)計(jì),可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置,可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實(shí)現(xiàn)了完美平衡,因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
特征
?超低電壓核心和I/O電源
–VDD1=1.70–1.95V;標(biāo)稱1.80V
–VDD2=1.06–1.17V;1.10V標(biāo)稱
–VDDQ=1.06–1.17V;1.10V標(biāo)稱或低VDDQ=0.57–0.65V;標(biāo)稱0.60V
?頻率范圍
–2133–10 MHz(數(shù)據(jù)速率范圍:4266–20 Mb/s/引腳)
?16n預(yù)取DDR體系結(jié)構(gòu)
?每個(gè)通道8個(gè)內(nèi)部銀行,用于并行操作
?單一數(shù)據(jù)速率CMD/ADR輸入
?每個(gè)字節(jié)通道的雙向/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
?可編程讀取和寫(xiě)入延遲(RL/WL)
?可編程和動(dòng)態(tài)突發(fā)長(zhǎng)度(BL=16,32)
?針對(duì)每個(gè)銀行進(jìn)行定向刷新,以實(shí)現(xiàn)銀行的并行操作和易于指揮的調(diào)度
?每個(gè)裸片高達(dá)8.5 GB/s
?片上溫度傳感器,用于控制自刷新率
?部分陣列自刷新(PASR)
?可選輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度(DS)
?時(shí)鐘停止功能
?符合RoHS,“綠色”包裝
?可編程VSS(ODT)終端
?單端CK和DQS支持
?AEC-Q100
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SAMSUNG
FBGA-200
2000
用于移動(dòng)設(shè)備的 64Gbit LPDDR4X 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) IC
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方案供應(yīng)商。該公司的存儲(chǔ)器方案被應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國(guó)愛(ài)德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷(xiāo)售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
MTFC256GBCAQTC-IT
【買(mǎi)家必讀】:電子元器件是專(zhuān)業(yè)型的產(chǎn)品,技術(shù)含量較高,本身可能存在多種品牌,后輟與封裝,可能導(dǎo)致參數(shù)與性能的差異,如有不慎,很有可能導(dǎo)致元器件購(gòu)買(mǎi)錯(cuò)誤,為了更好的解決您的問(wèn)題,所以請(qǐng)您務(wù)必在下單前,將產(chǎn)品的封裝、后綴告訴我們。以便我們能準(zhǔn)確迅速的為您查…MTFC128GBCAQTC-IT
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MT29F8T08EWLKEM5-M:K 是高性能、高耐用性和低功耗小型應(yīng)用的理想選擇,滿足了物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)和新興嵌入式應(yīng)用的需求。特點(diǎn)寫(xiě)保護(hù)是一種基本的臨時(shí)安全功能,通過(guò)撥動(dòng)硬件引腳可以鎖定/解鎖整個(gè)器件。塊鎖定是一種臨時(shí)安全功能,與 LOCK 硬件引腳配合使用,可靈活鎖定某些內(nèi)…MT29F8T08EULCHD5-T:C
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