商品名稱:AIMBG120R020M1
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIMBG120R020M1 1200V汽車用碳化硅mosfet系列是為混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車的當(dāng)前和未來車載充電器和DC-DC應(yīng)用而開發(fā)的。
該碳化硅mosfet采用最先進(jìn)的英飛凌SiC溝槽技術(shù),結(jié)合.XT互連技術(shù),專門設(shè)計(jì)用于滿足汽車行業(yè)對(duì)可靠性、質(zhì)量和性能的高要求。
獨(dú)特的功能,如在1200V開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平,內(nèi)部換向證明體二極管無反向恢復(fù)損耗,與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性,保證了無障礙設(shè)計(jì)和易于控制的應(yīng)用設(shè)計(jì)。
緊湊的SMD外殼D2PAK(PG-TO263-7)使客戶生產(chǎn)設(shè)施實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化,并進(jìn)一步降低了系統(tǒng)層面的成本。
特點(diǎn)概述
革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅
極低的開關(guān)損耗
無閾值的通態(tài)特性
0V的關(guān)斷柵極電壓
基準(zhǔn)的柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V
完全可控的dv/dt
換向穩(wěn)健的主體二極管,準(zhǔn)備用于同步整流
與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測(cè)引腳
適用于HV爬電要求
XT互連技術(shù)可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
優(yōu)點(diǎn)
效率提高
使得頻率更高
提高功率密度
減少冷卻工作量
減少系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本
潛在的應(yīng)用
板載充電器
DC-DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/18.6 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 160 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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